Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Suma 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Symbol: MZ-V9S4T0BW
Dostępność:
Średnia dostępność
30
szt.
Cena: 1107.42
| Specyfikacja | |
| Prędkość zapisu nośnika | 6300 MB/s |
| Losowy odczyt (4KB) | 850000 IOPS |
| Szyfrowanie / bezpieczeństwo | 256-bit AES |
| Typ pamięci | V-NAND TLC |
| Rozmiar dysku SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Losowy zapis (4KB) | 1350000 IOPS |
| Interfejs | PCI Express 4.0 |
| Pojemność pamięci SSD | 4 TB |
| NVMe | Tak |
| NVMe wersja | 2.0 |
| Przeznaczenie | PC |
| MTBF (Średni okres międzyawaryjny) | 1500000 h |
| Wsparcie TRIM | Tak |
| Prędkość odczytu z nośnika | 7150 MB/s |
| Typ dysku SSD | M.2 |
| Obsługa S.M.A.R.T. | Tak |
| Szyfrowanie sprzętu | Tak |
| Szerokość produktu | 80,2 mm |
| Wysokość produktu | 22,1 mm |
| Głębokość produktu | 2,38 mm |
| Waga produktu | 9 g |
| Zakres temperatur (eksploatacja) | 0 - 70 °C |
| Ostrzeżenia | Nie wystawiaj na działanie wysokich temperatur. |
| Ostrzeżenia | Nie demontować urządzenia samodzielnie. |
| Ostrzeżenia | Chronić przed wilgocią. |
| Szerokość | 145mm |
| Długość | 100mm |
| Wysokość | 20mm |
• Chronić przed wilgocią.
• Nie demontować urządzenia samodzielnie.
• Nie wystawiaj na działanie wysokich temperatur.
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
samsung@samsung.com
